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AD5220BN50【科亚奇】假一罚十
25LC010A-I/OT
MD139
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MD100RS
MD100RP
AD1881JST 其他被动元件
D-436-38 端子、接插件
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HX5020NL 网络、通讯变压器
LM150K 其他被动元件
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AD586JQ 其他被动元件
51296-5494 手机连接器
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74HC04D 逻辑IC
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SKHI 24 R
CD4060BF3A 内存芯片
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MKS2D041001K00JSSD 薄膜电容
ADSP-21060LAB-160 逻辑IC
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BYV26C 整流二极管
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NE555P 逻辑IC
AQV101
68001-102HLF 其他被动元件
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BAV70TT1G 开关二极管
ATTINY11-6SC 存储IC
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MT47H64M16HR-25E 内存芯片
RM2
RM222-
前提是要求他们每局都能存活到前20名。易边后,国安队用巴顿换下了依然有伤在身的索里亚诺,但场上局势并未因此改善,第57分钟,郑凯木送出传中,斯蒂夫头球破门,将比分扩大为2比0。1·5T版本百公里加速9·9秒,比途观L1·4T仅慢了0·1秒,并非探界者的发动机动力输出不行,而是途观L的双离合变速箱在动力传输能力上优势更强些。接收推荐免试研究生(以下简称“推免生”)是研究生招生工作的重要环节,是保证生源质量的重要方式。我们可以使用100维表示(100-dimensionalrepresentation)来构建一个函数,该函数提出与输入单词相似的单词。但正是这种普通到的真实,容易触动内心的柔软,反正就是让你不断在“笑了哭。附图说明当参考附图某些示例性实施例的以下详细描述时,本公开的这些和其他的特征、方面和优势将变得更好理解,在附图中,遍及各图,相似的字符表示相似的技术。图1是根据本公开的所描述的实施例的晶圆的示意性横截面视图;图2是根据本公开的所描述的实施例的具有在晶圆上应用的图案化掩膜的图1的晶圆的示意性横截面视图;图3是根据本公开的所描述的实施例的包括一个或多个沟槽特征的图2的晶圆的示意性横截面视图,该一个或多个沟槽特征形成在位于用图案化掩膜覆盖的表面之间的所暴露的区域上;图4是根据本公开的所描述的实施例的在移除掩膜之后的图3的晶圆的示意性横截面视图;图5是根据本公开的所描述的实施例的用单分子层涂层覆盖的图4的晶圆的示意性横截面视图;包括任何合适图案的涂层或薄膜108被应用到感测或电路表面,表面104是以任何合适的方法来图示的。如图2上所描绘,用涂层或薄膜108覆盖表面104的某部分,而没有被图案化薄膜108覆盖的表面104的剩余部分暴露以用于形成至少一个沟槽特征。被应用到表面104的涂层或薄膜108包括期望厚度和合适材料。通过任何合适的蚀刻技术将多个沟槽110形成在所暴露的表面104上,如图3中所描绘。沟槽110包括多个壁,图示了侧壁和底部壁,并且用保护性涂层覆盖这些壁114,其中沟槽特征的壁形成为半导体传感器设备的部分。之后移除图案化薄膜108以暴露表面104的其余部分,如图4中所示。
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